เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (WD) แถลงถึงความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งใช้ชื่อว่า BiCS4 มาพร้อมศักยภาพการเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์ คาดว่าลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM) จะได้ทดสอบใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุดนี้ในช่วงครึ่งปีหลัง 2560 และเริ่มเดินสายการผลิตได้ในปี 2561
BiCS4 เป็นการพัฒนาร่วมกันระหว่าง Western Digital และ Toshiba Corp.
เบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว โดย BiCS4 จะสามารถจัดเก็บข้อมูลภายใต้โครงสร้าง 3 บิตต่อเซลล์ และ 4 บิตต่อเซลล์ นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตเพื่อให้ชิป 3D NAND ได้มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลได้อย่างสูงสุด ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุดด้วยราคาที่ถูกลง
ในปีนี้ (2560) หน่วยความจำเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ ของทาง WD มีสัดส่วนมากกว่าร้อยละ 75 ของการผลิต 3D NAND ทั้งหมด
