Huawei ยื่นสิทธิบัตรเผยแผนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ระดับ 2 nm ด้วยเทคโนโลยี DUV เพียงอย่างเดียว หลังถูกสหรัฐฯ ตัดสิทธิ์เข้าถึงเครื่องมือ EUV ที่ทันสมัยกว่าจาก ASML โดยนักวิจัยด้านเซมิคอนดักเตอร์ Dr. Frederick Chen ได้ค้นพบว่าสิทธิบัตรนี้ทางหัวเว่ยยื่นตั้งแต่ปี 2022 แต่เพิ่งเผยแพร่เมื่อเร็วๆ นี้
สิทธิบัตรดังกล่าวระบุว่า Huawei พัฒนาเทคนิค SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) หรือการสร้างลายวงจรแบบจัดตำแหน่งอัตโนมัติ 4 ชั้น เพื่อบรรลุ metal pitch ขนาด 21 nm ซึ่งเทียบเท่ากับมาตรฐานชิป 2 nm จาก TSMC ปกติแล้วการใช้เลเซอร์ DUV (Deep Ultraviolet) ต้องฉายแสงหลายครั้งเพื่อสร้างลายวงจรที่ละเอียด แต่ Huawei สามารถลดลงเหลือเพียง 4 ครั้ง
ความสำเร็จครั้งนี้มาหลังจาก Huawei เพิ่งเปิดตัวชิป Kirin 9030 ขนาด 5 nm รุ่นแรก ที่ผลิตบนโหนด N+3 ของ SMIC ใช้ในสมาร์ตโฟนรุ่นล่าสุด Mate80 เมื่อไม่กี่วันก่อน
อย่างไรก็ตาม ผู้เชี่ยวชาญมีข้อกังวลเกี่ยวกับความคุ้มค่าเชิงพาณิชย์ เนื่องจากอัตราผลผลิต (yields) หรือจำนวนชิปที่ผลิตได้สำเร็จคาดว่าจะต่ำเกินไป และแม้จะผลิตได้ก็ยังห่างไกลจากประสิทธิภาพของเทคโนโลยี EUV ที่ใช้แสงอัลตราไวโอเลตขั้นสูง
นอกจากนี้ รายงานก่อนหน้ายังระบุว่าจีนกำลังพัฒนาเครื่องมือ EUV และเทคโนโลยีชิป 3 nm ที่ใช้คาร์บอนนาโนทิวบ์ แต่ยังไม่มีข้อมูลอัพเดตล่าสุด คาดว่าจีนจะไม่เปิดเผยความก้าวหน้าอย่างเป็นทางการในเร็วๆ นี้ เนื่องจากนโยบายเก็บรักษาความลับด้านการผลิตชิปของประเทศ
ข้อมูลจาก: Notebookcheck
ติดตามข่าวสาร อัปเดตเทคโนโลยี รีวิวของใหม่ก่อนใคร ได้ทาง www.techoffside.com และ ช่องทางโซเชียล Facebook, Instagram, YouTube และ TikTok
