Global Foundries จับมือ ARM พัฒนาชิปเทคโนโลยีใหม่ 3D High-Density

MALTA, NY - JANUARY 30: The Integrated Technology Development Center (ITDC) is used to train engineers and technicians, and to test and develop new equipment, including the specialized Automated Materials Handling System (AMHS) prior to installation in Fab 8's massive cleanroom January 30, 2012 in Malta, New York. Adding to the company's seven other semiconductor manufacturing fabs in Europe and Asia, GLOBALFOUNDRIES is developing Fab 8 in Saratoga County, NY. Fab 8 will cost approximately $7 billion when complete and will stand as the most advanced semiconductor manufacturing facility in the world and the largest leading-edge foundry in the U.S. (Photo by Alfredo Sosa/The Christian Science Monitor via Getty Images)

เทคโนโลยีการผลิตชิปของ Global Foundries ไม่สามารถก้าวข้ามไปถึงระดับ 7 นาโนเมตรได้  ไม่เป็นไปตามแผนของ AMD ที่ตั้งเอาไว้ ทำให้ต้องเตรียมปรับแผนใหม่ จับมือกับ ARM ในการร่วมพัฒนาเทคโนโลยีใหม่แทน

ทางออกใหม่นึงนั้น คือการย่อขนาด Node Shrinking ลง ให้ตัวชิป 3D มีความหน้าแน่นมากขึ้นแบบ High-Density ซึ่งเป็นวิธีที่เหมาะกับเทคโนโลยีการผลิตที่ 12 นาโนเมตรในปัจจุบันที่มีอยู่

ตอนนี้ทั้ง 2 บริษัท ก็กำลังทดสอบขั้นการผลิตชิป 3D แบบ 12 nm FinFET อยู่ และวิธีการเพิ่มชั้น 3D Stacking ก็จะเป็นการเพิ่มจำนวน Core ให้มากขึ้น ซึ่งเป็นผลดีต่อระบบ AI และ Machine Learning

Global Foundries

การออกแบบ 3D จะเพิ่มความเร็วในการส่งผ่านข้อมูลระหว่าง Core ลดความหน่วง เพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมให้ดีขึ้น

เทคโนโลยี Hybrid Wafer-to-Wafer Bonding ล่าสุด ช่วยให้สามารถใส่ 3D Connection ต่อพื้นที่ 1 ตารางมิลลิเมตรได้สูงสุดถึง 1 ล้านหน่วย และยังช่วยเพิ่มอายุของเทคโนโลยีการผลิตแบบนี้ ให้นานขึ้นกว่าแบบเดิมด้วย

กฎของ Moore เริ่มไม่สามารถเอามาใช้ได้กับการย่อขนาด Node ชิปอย่างที่เคยใช้ได้ก่อนหน้านี้แล้ว และหลายบริษัทก็เริ่มหันไปพัฒนาในทิศทางอื่นแทน

อย่าง Intel ก็หันไปทำ 3D Stackink สำหรับ CPU ตัวใหม่ๆ ส่วน AMD ก็กำลังพิจารณาการเพิ่ม DRAM และ SRAM เข้าไปอยู่ใน Die เดียวกันกับ CPU เลย และยังมี Toshiba ที่จะใช้ 3D Stacking สำหรับชิป NAND ใน SSD ด้วย

ที่มา: Global Foundries